Ominaisuudet
Nopea Samsung 970 EVO SSD -levy tehostaa koko järjestelmää ja varmistaa nopeamman käynnistymisajan, ensiluokkaisen tiedonsiirron, tehokkaamman moniajon ja varmemman tallennuksen, nopean lukunopeuden ja tietoturvan kryptauksen avulla. Kompaktissa 80 mm SSD-levyssä on 1 TB tallennustilaa ja M.2 -liitin. SSD on varustettu nelikaistaisella PCIe-liitännällä, joka mahdollistaa erittäin korkean jaksottaisen luku- ja kirjoitusnopeuden (jopa 3300/2500 MB/s), mikä tekee siitä SATA SSD -kiintolevyjä huomattavasti nopeamman.
Asennus: SSD-kiintolevyssä on M.2 -liitin, joka asennetaan emolevyn M.2-liitäntään. Standardipituus 80 mm.
Muut ominaisuudet:
- 1 TB (1000 GB)tallennustilaa
- Samsung 3D V-NAND -teknologia, jossa 32 kennoa on sijoitettu pystytasoon. Lopputuloksena on suurempi tiheys ja parempi suorituskyky pienemmässä koossa.
- 1 GB MB LP-DDR RAM -puskurointi
- SSD-kiintolevyjen rakenne on käytössä kestävämpi
- 256-bit AES-salausalgoritmi
- Samsung TurboWrite-teknologia lisää jaksottaista kirjoitusnopeutta
- Jopa 600 TB ajurin kesto
Asennus: SSD-kiintolevyssä on M.2 -liitin, joka asennetaan emolevyn M.2-liitäntään. Standardipituus 80 mm.
Muut ominaisuudet:
- 1 TB (1000 GB)tallennustilaa
- Samsung 3D V-NAND -teknologia, jossa 32 kennoa on sijoitettu pystytasoon. Lopputuloksena on suurempi tiheys ja parempi suorituskyky pienemmässä koossa.
- 1 GB MB LP-DDR RAM -puskurointi
- SSD-kiintolevyjen rakenne on käytössä kestävämpi
- 256-bit AES-salausalgoritmi
- Samsung TurboWrite-teknologia lisää jaksottaista kirjoitusnopeutta
- Jopa 600 TB ajurin kesto
Tekniset tiedot
Mitat ja paino
Korkeus (cm) 0.22 Leveys (cm) 2.2 Syvyys (cm) 8 Korkeus (sis. pakkaus) 24,0 mm Leveys (sis. pakkaus) 10,2 cm Syvyys (sis. pakkaus) 14,4 cm Paino sis. pakkaus 84,0 g Ominaisuudet
Kokonaistallennustila (GB) 1000 NAND Flash-muistin tyyppi 3D V-NAND Tuotetiedot
Tyyppi Sisäinen SSD-levy Tuotesarja 970 Malli Samsung 970 EVO MZ-V7E1T0BW Kiintolevyn tyyppi Sisäinen SSD M.2 EAN-koodi 8801643205300 Valmistajan tuotenumero MZ-V7E1T0BW Tallennus ja muisti
Kokonaistallennustila (GB) 1000 Suorituskyky
NAND Flash-muistin tyyppi 3D V-NAND Korkein jatkuva kirjoitusnopeus (MB/s) 2500 Korkein jatkuva lukunopeus (MB/s) 3300 Liitännät
Liitäntä PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Ympäristöparametrit
Miksi julkaisemme ympäristöparametreja?
Tuomme esille tuotteiden valmistukseen liittyvät ympäristö- ja ilmastovaikutukset. Tutustu ympäristöparametreihin.
Valmistajan EcoVadis-luokitus | Silver |
Kolmannen osapuolen ympäristöhyväksyntä | Ei hyväksyntää |
Energiamerkintä | Ei luokitusta |
Valmistusmaa | Korean tasavalta |
Virhevastuun kestoa määritellään KKV suositusten mukaisesti. |