Ominaisuudet
Samsung 970 EVO Plus SSD-muisti nopeuttaa pöytätietokoneen tai kannettavan suorituskykyä. Muisti tarjoaa 1 TB tallennustilaa ja se voidaan asettaa 80 mm M.2 -paikkaan. Se käyttää neljäkaistaista PCIe-käyttöliittymää mahdollistaen erittäin nopean 3500 MB/s luku- ja 3300 MB/s kirjoitusnopeuden, joten se on monta kertaa nopeampi kuin SATA SSD -yksiköt.
Asennus: SSD-muisti käyttää M.2-liitäntää, joka yhdistetään emolevyn M.2-avainpaikkaan. Sen standardipituus on 80 mm.
Muut ominaisuudet:
- 1 TB tallennustilaa
- 3D V-NAND -muistipiiri mahdollistaa kompaktin koon
- 1 GB LP-DDR4 RAM -välimuisti
- SSD-kiintolevyjen rakenne on käytössä kestävämpi ja suojaa tiedostojasi paremmin
- 256-bittinen AES-laitteistosalaus pitää kaikki tärkeät tietosi suojattuna salaamalla koko levyn sisällön
- Samsung TurboWrite -teknologia nopeuttaa levyn kirjoitustehoa merkittävästi
- Kestävyys jopa 600 TBW (kirjoitettujen teratavujen määrä)
Asennus: SSD-muisti käyttää M.2-liitäntää, joka yhdistetään emolevyn M.2-avainpaikkaan. Sen standardipituus on 80 mm.
Muut ominaisuudet:
- 1 TB tallennustilaa
- 3D V-NAND -muistipiiri mahdollistaa kompaktin koon
- 1 GB LP-DDR4 RAM -välimuisti
- SSD-kiintolevyjen rakenne on käytössä kestävämpi ja suojaa tiedostojasi paremmin
- 256-bittinen AES-laitteistosalaus pitää kaikki tärkeät tietosi suojattuna salaamalla koko levyn sisällön
- Samsung TurboWrite -teknologia nopeuttaa levyn kirjoitustehoa merkittävästi
- Kestävyys jopa 600 TBW (kirjoitettujen teratavujen määrä)
Tekniset tiedot
Mitat ja paino
Korkeus (cm) 0.238 Leveys (cm) 2.2 Syvyys (cm) 8 Korkeus (sis. pakkaus) 24,0 mm Leveys (sis. pakkaus) 10,0 cm Syvyys (sis. pakkaus) 14,4 cm Paino sis. pakkaus 78,0 g Ominaisuudet
Kokonaistallennustila (GB) 1000 NAND Flash-muistin tyyppi 3D V-NAND Tuotetiedot
Tyyppi Sisäinen SSD-levy Tuotesarja 970 Malli Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW Kiintolevyn tyyppi Sisäinen SSD M.2 EAN-koodi 8801643628086 Valmistajan tuotenumero MZ-V7S1T0BW Tallennus ja muisti
Kokonaistallennustila (GB) 1000 Suorituskyky
NAND Flash-muistin tyyppi 3D V-NAND Korkein jatkuva kirjoitusnopeus (MB/s) 3300 Korkein jatkuva lukunopeus (MB/s) 3500 Liitännät
Liitäntä PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Ympäristöparametrit

Miksi julkaisemme ympäristöparametreja?
Tuomme esille tuotteiden valmistukseen liittyvät ympäristö- ja ilmastovaikutukset. Tutustu ympäristöparametreihin.
Valmistajan EcoVadis-luokitus | ![]() |
Kolmannen osapuolen ympäristöhyväksyntä | Ei hyväksyntää |
Energiamerkintä | Ei luokitusta |
Valmistusmaa | Korean tasavalta |
Virhevastuun kestoa määritellään KKV suositusten mukaisesti. |